Luchsinger
Distributore ufficiale per l’Italia
L’interferometro IMS5420-TH di Micro-Epsilon è interferometro a luce bianca per la misurazione ad alta precisione dello spessore dei wafer di silicio.
Utilizza un diodo super luminescente a banda larga con una gamma di lunghezze d'onda di 1.100 nm. Può misurare lo spessore di wafer di silicio non drogati, drogati e altamente drogati con un unico sensore.
L'IMS5420 raggiunge una stabilità del segnale inferiore a 1 nm. Lo spessore può essere misurato da una distanza di 24 mm.
Il sistema interferometrico IMS5420 è ideale per la misurazione di wafer di silicio monocristallino con uno spessore geometrico da 500 a 1050 µm e una drogatura fino a 6 m Ω cm. Può essere utilizzato per il controllo macchina e per il controllo qualità del wafer durante la lappatura.
Il sensore ha un design compatto che consente di integrarlo in spazi ristretti.
Da 0,05 a 1,05 mm (per silicone, n=3,82)
Da 0,2 a 4 mm (per aria, n=1) / circa 24 mm con un campo di lavoro di circa 6 mm
1 strato
Modello IMS5420MP-TH24: fino a 5 strati
<±100nm
Modello IMS5420MP-TH24: < ±100 nm per uno strato < ±200 nm per strati aggiuntivi
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